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고온/고압에 강한 SiC 웨이퍼의 등장 기존의 반도체 웨이퍼에 쓰이는 소재는 Si(Silicon, 규소)였습니다. 해당 실리콘 웨이퍼는 대량양산체제가 가능하다는 장점이 있지만, 고온과 고압에 사용되어야 하는 상황에서는 잘 맞지 않는 단점이 존재했습니다. 특히 최근에는 전기차, 전기차 충전기, ESS 등 고온 및 고압에 노출되는 상황이 이전보다 크게 증가했기 때문에, 고온 및 고압에 보다 내성이 있는 새로운 소재로 반도체 웨이퍼를 제조해야 할 필요성이 증가했습니다. Research Gate 中 이러한 시대상의 변화에 따라 새롭게 등장한 소재가 바로 SiC(Silicon Carbide, 탄화규소)입니다. SiC 소재는 기존 Si 웨이퍼에 비해 고온과 고압에 더 잘 견딜 수 있다는 특성을 가지고 있습니다. 기존 실리콘(Si) 소재는 최대 전압 1,700볼트와 최대 온도 175도까지 견딜 수 있는 반면, 실리콘 카바이드(SiC) 소재는 최대 전압 3,000볼트와 최대 온도 600도까지 견딜 수 있는 것입니다. 고온과 고압에 SiC 소재가 더 잘 버틸 수 있기에, 최근 전기차, 전기차 충전기, ESS, 태양광 등에 SiC 소재로 제작된 반도체의 수요가 증가하는 추세입니다. KERI 中 이렇게 만들어진 SiC 반도체는 같은 두께의 실리콘 반도체 대비 보다 고온과 고압에 견딜 수 있기에, 기기의 소형화에도 매우 유리합니다. 위 그림은 전기차용 인...